型号: | SMCJ8.5 |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 195K |
代理商: | SMCJ8.5 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SCDAR4F | 20 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
S1KW16C-2N | 3 A, 16000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SCPHN16 | 5.5 A, 16000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SM6T150CA | 4000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SMV1225-001 | 5.6 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMCJ85A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W TVS Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ85A R6 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode TVS Single Uni-Dir 85V 1.5KW 2-Pin SMC T/R |
SMCJ85A | 制造商:Littelfuse 功能描述:TVS DIODE 1.5KW 85V DO-214AB |
SMCJ85A/1T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1.5KW 85V 5% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMCJ85A/57T | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 85V Unidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |