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参数资料
| 型号： | SMDJ-65601V-30FHXXX:R |
| 厂商： | TEMIC SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 1 STANDARD SRAM, 30 ns, CDFP32 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 92K |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMDJ-65601V-35MHXXX | 1M X 1 STANDARD SRAM, 35 ns, CDFP32 |
| SMC9-65601V-35 | 1M X 1 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP28 |
| SM4J-65601V-35/883 | 1M X 1 STANDARD SRAM, 35 ns, CDSO32 |
| SMC9-65601L-35/883 | 1M X 1 STANDARD SRAM, 35 ns, CDIP28 |
| SM4J-65601V-45P883 | 1M X 1 STANDARD SRAM, 45 ns, CDSO32 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMDJ-65608EV-30SB | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
| SMDJ-65608EV-45SB | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
| SMDJ-65609EV-40/8831 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM |
| SMDJ7.0 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode SMC Suf MT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMDJ7.0A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode SMC Suf MT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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