收藏本站
参数资料
型号： SMF12A-M-GS18
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2 PIN
文件页数： 5/6页
文件大小： 73K
代理商： SMF12A-M-GS18
Document Number: 83355
For technical questions, contact: ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 1.0, 22-Sep-10
5
SMF5V0A-M to SMF51A-M
Surface Mount ESD Protection
Diodes
Vishay Semiconductors
BLISTERTAPE DIMENSIONS in millimeters (inches)
18513
PS
Document-No.: S8-V-3717.02-001 (3)
相关PDF资料
PDF描述
SMF48A-M-GS08 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
SDA276AGS 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SDA276FTX 3 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SDA276GSS 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
SMZJ3788A-HE3/5B 9.1 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-214AA
相关代理商/技术参数
参数描述
SMF12AT1 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 200W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMF12AT1G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 200W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMF12AT3 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 200W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
SMF12AT3G 功能描述:IC TVS ZENER 200W 12V SOD123FL RoHS:是 类别:过电压，电流，温度装置 >> TVS - 二极管 系列:- 标准包装:1,800 系列:TransZorb® 电压 - 反向隔离（标准值）:28V 电压 - 击穿:31.1V 功率（瓦特）:400W 电极标记:双向 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AC，SMA 供应商设备封装:DO-214AC（SMA） 包装:带卷 (TR) 其它名称:SMAJ28CA-E3/61-NDSMAJ28CA-E3/61GITR
SMF12A-TP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin SOD-123FL T/R
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*