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参数资料
型号： SMF170AT1G
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： TVS二极管 - 瞬态电压抑制
英文描述： 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封装： LEAD FREE, PLASTIC, CASE 498-01, SOD-123FL, 2 PIN
文件页数： 5/6页
文件大小： 94K
代理商： SMF170AT1G
SMF5.0AT1 Series
http://onsemi.com
5
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55
25
85
150
T, TEMPERATURE (
°C)
V
,
TYPICAL
FOR
W
ARD
VOL
T
AGE
(VOL
TS)
F
25
50
75
100
125
175
T, TEMPERATURE (
°C)
P
,
MAXIMUM
POWER
DISSIP
A
T
ION
(m
W
D
150
1000
100
1
10
1000
WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
MEASURED @ 50% VRWM
MEASURED @ ZERO BIAS
Figure 5. Typical Derating Factor for Duty Cycle
DERA
TING
F
ACT
OR
1 ms
10
ms
1
0.7
0.5
0.3
0.05
0.1
0.2
0.01
0.02
0.03
0.07
100
ms
0.1 0.2
0.5
2
5
10
50
1
20
100
D, DUTY CYCLE (%)
PULSE WIDTH
10 ms
Figure 6. Steady State Power Derating
Figure 7. Forward Voltage
Figure 8. Capacitance versus Working Peak
Reverse Voltage
10
100
350
300
250
200
150
400
100
50
0
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