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参数资料
| 型号： | SMF3.3.TGT |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SC70-5L, 5 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | SMF3.3.TGT |
3
2003 Semtech Corp.
www.semtech.com
PROTECTION PRODUCTS
SMF3.3
Typical Characteristics
Non-Repetitive Peak Pulse Power vs. Pulse Time
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature - TA (
oC)
%
of
Rated
Power
or
I
PP
Power Derating Curve
Pulse Waveform
Clamping Voltage vs. Peak Pulse Current
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
5
10
15
20
25
30
Time (
s)
P
e
rcent
of
I
PP
e
-t
td = IPP/2
Waveform
Parameters:
tr = 8
s
td = 20
s
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Duration - tp (s)
P
eak
P
u
lse
P
o
w
e
r-
P
Pk
(k
W
)
Forward Voltage vs. Forward Current
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
01
23
45
67
Forward Current - IF (A)
F
o
rw
ar
d
V
o
lt
ag
e-
V
F
(V
)
Waveform
Parameters:
tr = 8s
td = 20s
Capacitance vs. Reverse Voltage
0
10
20
30
01
23
Reverse Voltage - VR (V)
C
a
p
aci
ta
nce
-
C
j(p
F
)
f = 1MHz
L to G
L to L
0.00
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
01
23
45
67
Peak Pulse Current - IPP (A)
C
lam
p
ing
V
o
lt
ag
e
-
V
C
(V
)
Waveform
Parameters:
tr = 8s
td = 20s
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