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参数资料
| 型号： | SMF51A-M-GS08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | SMF51A-M-GS08 |
Document Number: 83355
For technical questions, contact: ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
Rev. 1.0, 22-Sep-10
5
SMF5V0A-M to SMF51A-M
Surface Mount ESD Protection
Diodes
Vishay Semiconductors
BLISTERTAPE DIMENSIONS in millimeters (inches)
18513
PS
Document-No.: S8-V-3717.02-001 (3)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMF5V0A-M-GS18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMF6V0A-M-GS18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMF7V0A-M-GS18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMF9V0A-M-GS18 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMF17A-M-GS08 | 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMF51AT1 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 51V 200W RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMF51AT1G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 51V 200W Unidirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMF51A-TP | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 82.4V 200W 2.4A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMF51CA | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:200WATTS TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR 5.0 TO 170 VOLTS |
| SMF51CA-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin SOD-123FL T/R |
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