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参数资料
| 型号： | SMM4F12A-TR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-222AA |
| 封装： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SMM4F12A-TR |
SMM4F
Characteristics
3/10
Figure 1.
Definition of IPP pulse
Table 4.
Electrical characteristics - parameter values (Tamb = 25 °C)
Type
IRM max@VRM
VBR @IR
(1)
VCL @IPP
10/1000 s
RD
(2)
10/1000 s
VCL @IPP
8/20 s
RD
8/20 s
αT(3)
25 °C 85 °C
min
typ
max
A
V
mA
V
A
Ω
VA
Ω
10-4/°C
SMM4F5.0A
10
50
5.0 6.46 6.80 7.14 10
9.2
43.5
0.047
13.4 174
0.04
5.7
SMM4F6.0A
10
50
6.0 6.65 7.00 7.35 10
10.3 38.8
0.076
13.7 170
0.04
5.9
SMM4F6.5A
10
50
6.5 7.13 7.50 7.88 10
11.2 37.5
0.093
14.5 160
0.04
6.1
SMM4F8.5A
10
50
8.5
9.5
10.0 10.5
1
14.4 27.7
0.141
19.5 124
0.07
7.3
SMM4F10A
0.2
1
10
11.4 12.0 12.6
1
17.0 23.5
0.187
21.7 106
0.09
7.8
SMM4F12A
0.2
1
12
13.3 14.0 14.7
1
19.9 20.1
0.259
25.3
91
0.12
8.3
SMM4F13A
0.2
1
13
14.3 15.0 15.8
1
21.5 18.6
0.309
27.2
85
0.13
8.4
SMM4F15A
0.2
1
15
17.1 18.0 18.9
1
24.4 16.4
0.335
32.5
71
0.19
8.8
SMM4F18A
0.2
1
18
20.9 22.0 23.1
1
29.2 14.0
0.436
39.3
59
0.27
9.2
SMM4F20A
0.2
1
20
22.8 24.0 25.2
1
32.4 12.0
0.600
42.8
54
0.33
9.4
SMM4F24A
0.2
1
24
26.6 28.01 29.4
1
38.9
9.5
1.00
50
46
0.47
9.6
SMM4F26A
0.2
1
26
28.5 30.0 31.5
1
42.1
9.0
1.18
53.5
43
0.51
9.7
SMM4F28A
0.2
1
28
31.4 33.0 34.7
1
45.4
8.0
1.34
59.0
39
0.62
9.8
SMM4F33A
0.2
1
33
37.1 39.0 41.0
1
53.3
7.0
1.76
69.7
33
0.87
10.0
1.
Pulse test: tp <50ms.
2.
To calculate maximum clamping voltage at other surge currents, use the following formula VCLmax = RD x IPP + VBRmax
3.
To calculate VBR versus junction temperature, use the following formula: VBR @ Tj = VBR @ 25 °C x (1 + αT x (Tj - 25))
100
50
%IPP
tr
tp
0
t
Repetitive peak pulse current
tr = rise time (s)
tp = pulse duration time (s)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMP22-M3/85A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
| SMP33A-M3/85A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
| SMP6.5A-M3/84A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
| ST4465TX | 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| ST4466SMSTX | 150 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMM4F12AVCL | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W low clamp VOLT Transil 2.4kW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMM4F13A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High junction temperature Transil |
| SMM4F13A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Hi Temp Transil Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMM4F15A | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:High junction temperature Transil |
| SMM4F15A-TR | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Hi Temp Transil Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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