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参数资料
| 型号： | SMMBD330T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 127K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 200MA 30V SOT-323 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 25V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 15V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBD330T1G, SMMBD330T1G, MMBD770T1G, SMMBD770T1G
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
MMBD770T1G, SMMBD770T1G
Figure 5. Total Capacitance
Figure 6. Minority Carrier Lifetime
Figure 7. Reverse Leakage Figure 8. Forward Voltage
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) IF, FORWARD CURRENT (mA)
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
KRAKAUER METHOD
f = 1.0 MHz
, FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
0.2 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0.001
0 1020304050
10
1.0
0.1
0.01
0
020406010 30 50 70 9080 100
500
0
0 5.0 10 15 20 25 35 5030
40 45
2.0
1.6
1.2
0.8
100
10
1.0
0.1
400
300
200
100
0.4
, MINORITY CARRIER LIFETIME (ps)
, TOTAL CAPACITANCE (pF)
C
T
TA
= -
?C
TA
= 85
?C
TA
= 25
?C
TA
= 100
?C
TA
= 75
?C
TA
= 25
?C
MMBD770T1
MMBD770T1
MMBD770T1
MMBD770T1
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