参数资料
型号: SMMBD7000LT3G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 127K
描述: DIODE SWITCH DUAL 100V SOT-23
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 3µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 100V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
MMBD7000LT1G, SMMBD7000LT1G, MMBD7000LT3G, SMMBD7000LT3G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
?C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I(BR)
= 100
Adc)
V(BR)
100
?
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 50 Vdc)
(VR
= 100 Vdc)
(VR
= 50 Vdc, 125
?C)
IR
IR2
IR3
?
?
?
1.0
3.0
100
Adc
Forward Voltage
(IF
= 1.0 mAdc)
(IF
= 10 mAdc)
(IF
= 100 mAdc)
VF
0.55
0.67
0.75
0.7
0.82
1.1
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 10 mAdc) (Figure 1)
trr
?
4.0
ns
Capacitance (VR
= 0 V)
C
?
1.5
pF
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820?
0.1 F
DUT
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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PDF描述
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