型号: | SMP12A-M3/85A |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
英文描述: | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
封装: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | SMP12A-M3/85A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SMP3V3-M3/85A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
SMP7.0A-M3/84A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
SMP28A-M3/84A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
SMP6.5A-M3/85A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
SMP36-M3/85A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-220AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SMP12-E3/84A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400 Watt 12 Volt Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMP12-E3/85A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 12V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
SMP12-M3/84A | 功能描述:ESD 抑制器 400watt 12volt 10% Unidir RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
SMP12-M3/85A | 功能描述:ESD 抑制器 400watt 12volt 10% Unidir RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
SMP-12V-BC | 制造商:JST Manufacturing 功能描述:12 1 Housing vO 30.5mm 250VDC / 250VAC 3A 85 -25 22-28AWG 11.7mm 7.4mm 制造商:JST Manufacturing 功能描述:12 Position 2.5mm Pitch Wire to Wire Plug Housing 制造商:JST 功能描述:Connector 制造商:JST Manufacturing 功能描述:Connector,Plastic Housing Lance,Multipo |