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参数资料
| 型号： | SMP30A-E3/85A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS 400W UNIDIR 30V 5% SMP |
| 标准包装： | 10,000 |
| 系列： | TransZorb®, eSMP™ |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 30V |
| 电压 - 击穿： | 33.3V |
| 功率（瓦特）： | 400W |
| 电极标记： | 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-220AA |
| 供应商设备封装： | DO-220AA（SMP） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SMP3V3 thru SMP36A
www.vishay.com
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T A = 25 °C unless otherwise noted)
10
N on-Repetitive P u lse
Waveform shown in Fig. 3
10 000
Vishay General Semiconductor
1
T A = 25 °C
1000
100
Meas u red at
Stand-Off
V oltage, V WM
Meas u red at
Zero Bias
0.1
0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm)
Copper Pad Areas
10
T J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V sig = 50 m V p-p
0.1
1
10
100
1000
10 000
1
10
100
100
75
50
25
0
t d - P u lse Width (μs)
Fig. 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
1000
100
10
1
0.1
V WM - Reverse Stand-Off V oltage ( V )
Fig. 4 - Typical Junction Capacitance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Initial Temperat u re (°C)
Fig. 2 - Pulse Derating Curve
t - P u lse D u ration (s)
Fig. 5 - Typical Transient Thermal Impedance
150
100
t r = 10 μs
Peak V al u e
I PPM
T J = 25 °C
P u lse Width (t d )
is defined as the Point
where the Peak C u rrent
decays to 50 % of I PPM
?
?
Half V al u e - I PP
50
I PPM
2
10/1000 μs Waveform
as defined by R.E.A.
t d
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t - Time (ms)
Fig. 3 - Pulse Waveform
Revision: 10-Dec-13
3
Document Number: 88481
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMP30-E3/85A | TVS 400W UNIDIR 30V 10% SMP |
| PBC19DBAN | CONN HEADER .100 DUAL R/A 38POS |
| PEC08DBCN | CONN HEADER .100 DUAL R/A 16POS |
| PEC18DFBN | CONN HEADER .100 DUAL STR 36POS |
| SMP28A-E3/85A | TVS 400W UNIDIR 28V 5% SMP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SMP30A-M3/84A | 功能描述:ESD 抑制器 400watt 30volt 5% Unidir RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| SMP30A-M3/85A | 功能描述:ESD 抑制器 400watt 30volt 5% Unidir RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| SMP30-E3/84A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400 Watt 30 Volt Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMP30-E3/85A | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| SMP30-M3/84A | 功能描述:ESD 抑制器 400watt 30volt 10% Unidir RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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