参数资料
型号: SN65EPT21DGKR
厂商: TEXAS INSTRUMENTS INC
元件分类: 时钟及定时
英文描述: 65EP SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 1 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO8
封装: PLASTIC, MSOP-8
文件页数: 2/13页
文件大小: 429K
代理商: SN65EPT21DGKR
相关PDF资料
PDF描述
SN65EPT21DR 65EP SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 1 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PDSO8
SN7400DR TTL/H/L SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO14
SN74LS00PSRE4 LS SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO8
SN74LS00DE4 LS SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, PDSO14
SN7406NP3 7406 SERIES, HEX 1-INPUT INVERT GATE, PDIP14
相关代理商/技术参数
参数描述
SN65EPT21DR 功能描述:LVDS 接口集成电路 3.3V ECL Diff Rcvr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 激励器数量:4 接收机数量:4 数据速率:155.5 Mbps 工作电源电压:5 V 最大功率耗散:1025 mW 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:SOIC-16 Narrow 封装:Reel
SN65EPT22 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer
SN65EPT22_10 制造商:TI 制造商全称:Texas Instruments 功能描述:3.3 V Dual LVTTL/LVCMOS to Differential LVPECL Buffer
SN65EPT22D 功能描述:转换 - 电压电平 3.3V LVTTL/LVCMOS to Diff LVPECL Bfr RoHS:否 制造商:Micrel 类型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 传播延迟时间:1.9 ns 电源电流:14 mA 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MLF-8
SN65EPT22DGK 功能描述:转换 - 电压电平 3.3V LVTTL/LVCMOS to Diff LVPECL Bfr RoHS:否 制造商:Micrel 类型:CML/LVDS/LVPECL to LVCMOS/LVTTL 传播延迟时间:1.9 ns 电源电流:14 mA 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:MLF-8