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参数资料
| 型号： | SN74ACT7807-40FN |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNC FIFO MEM 2048X9 44-PLCC |
| 标准包装： | 26 |
| 系列： | 74ACT |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 18.4K（2K x 9） |
| 数据速率： | 67MHz |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 44-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 44-PLCC（16.59x16.59） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 296-4466-5 |
SN74ACT7807
2048
× 9
CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SCAS200D – JANUARY 1991 – REVISED APRIL 1998
6
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
offset values for AF/AE
The AF/AE flag has two programmable limits: the almost-empty offset value (X) and the almost-full offset
value (Y). They can be programmed after the FIFO is reset and before the first word is written to memory. If the
offsets are not programmed, the default values of X = Y = 256 are used. The AF/AE flag is high when the FIFO
contains X or fewer words or (2048 – Y) or more words.
Program enable (PEN) should be held high throughout the reset cycle. PEN can be brought low only when IR
is high and WRTCLK is low. On the following low-to-high transition of WRTCLK, the binary value on D0–D8 and
WRTEN1/DP9 is stored as the almost-empty offset value (X) and the almost-full offset value (Y). Holding PEN
low for another low-to-high transition of WRTCLK reprograms Y to the binary value on D0–D8 and
WRTEN1/DP9 at the time of the second WRTCLK low-to-high transition. While the offsets are programmed,
data is not written to the FIFO memory, regardless of the state of the write enables (WRTEN1/DP9, WRTEN2).
A maximum value of 1023 can be programmed for either X or Y (see Figure 1). To use the default values of
X = Y = 256, PEN must be held high.
X and Y
MSB
34
RESET
PEN
D0–D8
WRTCLK
WRTEN1/DP9
WRTEN2
IR
X and Y
Y
YMSB
Word 1
Figure 1. Programming X and Y Separately
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74ACT7807-40PAG | 功能描述:先进先出 2048 x 9 synchronous 先进先出 memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-20FN | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-20PAG | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-25FN | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-25PAG | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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