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参数资料
| 型号： | SN74ACT7807-40PAG |
| 厂商： | Texas Instruments |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNC FIFO MEM 2048X9 64-TQFP |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | 74ACT |
| 功能： | 同步 |
| 存储容量： | 18.4K（2K x 9） |
| 数据速率： | 67MHz |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-TQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 296-4467 |
SN74ACT7807
2048
× 9
CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SCAS200D – JANUARY 1991 – REVISED APRIL 1998
11
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
timing requirements over recommended operating free-air temperature range (unless otherwise
noted) (see Figures 1 through 5)
’ACT7807-15
’ACT7807-20
’ACT7807-25
’ACT7807-40
UNIT
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
fclock
Clock frequency
67
50
40
25
MHz
WRTCLK high or low
6
8
9
13
tw
Pulse duration
RDCLK high or low
6
8
9
13
ns
PEN low
6
9
13
D0–D8 before WRTCLK
↑
4
5
WRTEN1, WRTEN2
before WRTCLK
↑
4
5
tsu
Setup time
OE, RDEN1, RDEN2
before RDCLK
↑
5
6
6.5
ns
Reset: RESET low before
first WRTCLK
↑ and RDCLK↑
7
8
PEN before WRTCLK
↑
4
5
D0–D8 after WRTCLK
↑
0
WRTEN1, WRTEN2
after WRTCLK
↑
0
th
Hold time
OE, RDEN1, RDEN2
after RDCLK
↑
0
ns
h
Reset: RESET low after
fourth WRTCLK
↑ and RDCLK↑
5
PEN high after WRTCLK
↓
0
PEN low after WRTCLK
↑
3
To permit the clock pulse to be utilized for reset purposes
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature, CL = 50 pF (unless otherwise noted) (see Figure 5)
PARAMETER
FROM
TO
’ACT7807-15
’ACT7807-20
’ACT7807-25
’ACT7807-40
UNIT
PARAMETER
(INPUT)
(OUTPUT)
MIN
TYP
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
fmax
WRTCLK or
RDCLK
67
50
40
25
MHz
tpd
RDCLK
↑
Any Q
3
9
12
3
13
3
18
3
25
ns
tpd§
RDCLK
↑
Any Q
8
ns
WRTCLK
↑
IR
1
9
1
12
1
14
1
16
t d
RDCLK
↑
OR
1
9
2
12
2
14
2
16
ns
tpd
WRTCLK
↑
AF/AE
2
16
2
20
2
25
2
30
ns
RDCLK
↑
AF/AE
2
17
2
20
2
25
2
30
tPLH
WRTCLK
↑
HF
2
19
2
21
2
23
2
25
ns
tPHL
RDCLK
↑
HF
2
16
2
18
2
20
2
22
ns
tPLH
RESET low
AF/AE
1
12
1
18
1
22
1
24
ns
tPHL
RESET low
HF
2
12
2
18
2
22
2
24
ns
ten
OE
Any Q
2
10
2
13
2
15
2
18
ns
tdis
OE
Any Q
1
11
1
13
1
15
1
18
ns
All typical values are at VCC = 5 V, TA = 25°C.
§ This parameter is measured with CL = 30 pF (see Figure 6).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MS3100F20-17S | CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT |
| V150A48T500BG3 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 500W |
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| V150A48T500BG2 | CONVERTER MOD DC/DC 48V 500W |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74ACT7808-20FN | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-20PAG | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-25FN | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-25PAG | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74ACT7808-30FN | 功能描述:先进先出 2048 X 9 asynch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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