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参数资料
| 型号： | SN74V263-7GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 16/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V263-7GGM |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页当前第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页
SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
16
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
timing requirements over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature (see Figure 2 through Figure 22)
SN74V263-6
SN74V273-6
SN74V283-6
SN74V293-6
MIN
SN74V263-7.5
SN74V273-7.5
SN74V283-7.5
SN74V293-7.5
MIN
SN74V263-10
SN74V273-10
SN74V283-10
SN74V293-10
MIN
SN74V263-15
SN74V273-15
SN74V283-15
SN74V293-15
MIN
UNIT
MAX
MAX
MAX
MAX
fclock
tA
tCLK
tCLKH
tCLKL
tDS
tDH
tENS
tENH
tLDS
tLDH
tRS
tRSS
tRSR
tRSF
tRTS
tOLZ
tOE
tOHZ
tWFF
tREF
Clock cycle frequency
166
133
100
66.7
MHz
Data access time
2
4.5
2
5
2
6.5
2
10
ns
Clock cycle time
6
7.5
10
15
ns
Clock high time
2.5
3.5
4.5
6
ns
Clock low time
2.5
3.5
4.5
6
ns
Data setup time
1.5
2.5
3.5
4
ns
Data hold time
0.5
0.5
0.5
1
ns
Enable setup time
1.5
2.5
3.5
4
ns
Enable hold time
0.5
0.5
0.5
1
ns
Load setup time
2
3.5
3.5
4
ns
Load hold time
Reset pulse duration
0
0.5
0.5
1
ns
10
10
10
15
ns
Reset setup time
15
15
15
15
ns
Reset recovery time
10
10
10
15
ns
Reset to flag and output time
15
15
15
15
ns
Retransmit setup time
2
3.5
3.5
4
ns
Output enable to output in low impedance
0
0
0
0
ns
Output enable to output valid
2
4.5
2
6
2
6
2
8
ns
Output enable to output in high impedance
2
4.5
2
6
2
6
2
8
ns
Write clock to FF or IR
4.5
5
6.5
10
ns
Read clock to EF or OR
4.5
5
6.5
10
ns
tPAFA
Clock to asynchronous programmable
almost-full flag
8.5
12.5
16
20
ns
tPAFS
Write clock to synchronous programmable
almost-full flag
4.5
5
6.5
10
ns
tPAEA
Clock to asynchronous programmable
almost-empty flag
8.5
12.5
16
20
ns
tPAES
Read clock to synchronous programmable
almost-empty flag
4.5
5
6.5
10
ns
tHF
Clock to half-full flag
7
12.5
16
20
ns
tsk1
Skew time between read clock and write clock
for EF/OR and FF/IR
4
5
7
9
ns
tsk2
Skew time between read clock and write clock
for PAE and PAF
All ac timings apply to both FWFT mode and standard modes.
Pulse durations less than minimum values are not allowed.
4
7
10
14
ns
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V263-7PZA | 功能描述:先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V263PZAEP | 功能描述:先进先出 Mil Enhance 8192x18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V273-10GGM | 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V273-10PZA | 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V273-15GGM | 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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