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参数资料
| 型号： | SN74V273-7GGM |
| 厂商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 8192 】 18, 16384 】 18, 32768 】 18, 65536 】 18 3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES |
| 中文描述： | 8192】18，16384】18，32768】18，65536】18的3.3V的CMOS先入先出存储器 |
| 文件页数： | 14/52页 |
| 文件大小： | 762K |
| 代理商： | SN74V273-7GGM |
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SN74V263, SN74V273, SN74V283, SN74V293
8192
×
18, 16384
×
18, 32768
×
18, 65536
×
18
3.3-V CMOS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORIES
SCAS669D
–
JUNE 2001
–
REVISED FEBRUARY 2003
14
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
half-full flag (HF)
The HF output indicates a half-full FIFO. The rising WCLK edge that fills the FIFO beyond half-full sets HF low.
The flag remains low until the difference between the write and read pointers becomes less than or equal to half
of the total depth of the device. The rising RCLK edge that accomplishes this condition sets HF high.
In FWFT mode, if no reads are performed after reset (MRS or PRS), HF goes low after [(D
–
1)/2] + 2 writes
to the FIFO. If
×
18 input or
×
18 output bus width is selected, D = 8193 for the SN74V263, D = 16385 for the
SN74V273, D = 32769 for the SN74V283, and D = 65537 for the SN74V293. If both
×
9 input and
×
9 output bus
widths are selected, D = 16385 for the SN74V263, D = 32769 for the SN74V273, D = 65537 for the SN74V283,
and D = 131073 for the SN74V293.
In standard mode, if no reads are performed after reset (MRS or PRS), HF goes low after (D/2) + 1 writes to
the FIFO. If
×
18 input or
×
18 output bus width is selected, D = 8192 for the SN74V263, D = 16384 for the
SN74V273, D = 32768 for the SN74V283, and D = 65536 for the SN74V293. If both
×
9 input and
×
9 output bus
widths are selected, D = 16384 for the SN74V263, D = 32768 for the SN74V273, D = 65536 for the SN74V283,
and D = 131072 for the SN74V293.
See Figure 22 for timing information. Because HF is updated by both RCLK and WCLK, it is considered
asynchronous.
data outputs (Q0
–
Qn)
Q0
–
Q17 are data outputs for 18-bit-wide data or Q0
–
Q8 are data outputs for 9-bit-wide data.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SN74V273-7PZA | 功能描述:先进先出 16384 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V273PZAEP | 功能描述:先进先出 Mil Enhance 16384x18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283-10GGM | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283-10PZA | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
| SN74V283-15GGM | 功能描述:先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 电路数量: 数据总线宽度:18 bit 总线定向:Unidirectional 存储容量:4 Mbit 定时类型:Synchronous 组织:256 K x 18 最大时钟频率:100 MHz 访问时间:10 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:6 V 最大工作电流:35 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:TQFP-80 封装: |
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