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参数资料
| 型号： | SP6511A |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.3 A, 8 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-14 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | SP6511A |
Isolated Diode Array with
HiRel MQ, MX, MV, and SP Screening Options
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 2
Copyright
2007
3-27-2007
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
6511A
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
DEFINITION
VBR
Minimum Breakdown Voltage: The minimum voltage the device will exhibit at a specified current.
VF
Maximum Forward Voltage: The maximum forward voltage the device will exhibit at a specified current.
IR
Maximum Leakage Current: The maximum leakage current that will flow at the specified voltage and
temperature.
Ct
Capacitance: The capacitance of the TVS as defined @ 0 volts at a frequency of 1 MHz and stated in
picofarads.
SCHEMATIC
PACKAGE DIMENSIONS
CIRCUIT
Supply rail (+VCC)
GND (or -VCC)
Steering Diode Application
FIGURE 1
I/O Port
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SPA1503 | 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| SPA555MSM | 20 A, 1000 V, SILICON CARBIDE, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SPA555NLS | 20 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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