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参数资料
| 型号： | SPB04N60C2 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| 中文描述： | 酷马鞍山⑩功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | SPB04N60C2 |
2002-08-12
Page 7
SPP04N60C2, SPB04N60C2
SPA04N60C2
Final data
9 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
T
j
=150°C,
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
A
8.5
I
D
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
5
R
D
20V
12V
10V
9V
8.5V
8V
7.5V
7V
6.5V
6V
10 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 2.8 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
SPP04N60C2
R
D
typ
98%
11 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
A
16
I
D
25 °C
150 °C
12 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 4.5 A pulsed
0
4
8
12
16
20
nC
Q
Gate
26
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP04N60C2
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB04N60C3 | Cool MOS™ Power Transistor |
| SPB04N60S5 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA04N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPA04N60C3 | Cool MOS™ Power Transistor |
| SPP04N60C2 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPB04N60C3 | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-CH 650V 4.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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