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参数资料
| 型号： | SPB07N60S5 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶体管) |
| 中文描述： | 酷MOS功率晶体管（酷马鞍山功率晶体管） |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | SPB07N60S5 |
4
2000-01-31
SPP07N60S5
SPB07N60S5
Power dissipation
P
tot
= f (T
C
)
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
W
100
SPP07N60S5
P
t
Drain current
I
D
= f (T
C
)
parameter: V
GS
3
10 V
SPP07N60S5
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
A
8.0
I
D
Safe operating area
I
D
=f (V
DS
)
parameter: D=0.01, T
C
=25°C
SPP07N60S5
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 15.0μs
Transient thermal impedance
Z
thJC
= f (t
p
)
parameter : D = t
p
/T
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
D=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
single pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP07N60S5 | Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶体管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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