- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录54486 > SPB10060 (MICROSEMI CORP-COLORADO) 100 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SPB10060 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-COLORADO |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 100 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SOT-227, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | SPB10060 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPB8045 | 80 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD115446A | 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD3889TX | 12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| SPD3890R | 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
| SPD3890TX | 12 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPB10080 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Schottky Rectifier |
| SPB10090 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Schottky Rectifier |
| SPB100N032L-03 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| SPB100N03S2-03 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SPB100N03S2-03 G | 功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。