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参数资料
| 型号： | SPB16040 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-COLORADO |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 160 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | SOT-227, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | SPB16040 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMDA24C-4 | 300 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SMP1322-079LF | 50 V, SILICON, PIN DIODE |
| SDR620CTZU | 40 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SMAJ26A | 400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AC |
| SMCJ75A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPB16045 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Schottky Rectifier |
| SPB16080 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:2 X 160A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SPB16090 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:2 X 160A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SPB160N04S203 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPB160N04S2-03 | 功能描述:MOSFET N-Channel 40V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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