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参数资料
| 型号： | SPB80N06S2L-05 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管（马鞍山型功率晶体管） |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SPB80N06S2L-05 |
2000-05-12
Page 1
SPP80N06S2L-05
SPB80N06S2L-05
Preliminary data
OptiMOS
=
Power-Transistor
Features
N-Channel
Enhancement mode
Avalanche rated
Logic Level
d
v
/d
t
rated
=
175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
V
DS
R
DS(on)
I
D
55
4.8
80
V
m
A
Pin 1
G
PIN 2/4
D
PIN 3
S
Type
SPP80N06S2L-05 P-TO220-3-1 Q67040-S4246
SPB80N06S2L-05 P-TO263-3-2 Q67040-S4256
Package
Ordering Code
Marking
2N06L05
2N06L05
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C,
1)
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
Reverse diode d
v
/d
t
I
S
= 80 A,
V
DS
= 44 V, d
i
/d
t
= 200 A/μs,
T
jmax
= 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Symbol
Value
80
80
Unit
A
I
D
I
D puls
320
E
AS
810
mJ
d
v
/d
t
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
j ,
T
stg
-55...+175
55/175/56
°C
1current limited by bondwire;with an R
thJC
=0.5 K/W the chip is able to carry I
D
= 169 A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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