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参数资料
| 型号： | SPC5534MVZ80 |
| 厂商： | Freescale Semiconductor |
| 文件页数： | 38/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU POWERPC 1M FLASH 324-PBGAPGE |
| 标准包装： | 60 |
| 系列： | MPC55xx Qorivva |
| 核心处理器： | e200z6 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 80MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，以太网，SCI，SPI |
| 外围设备： | DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 220 |
| 程序存储器容量： | 1MB（1M x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 64K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.35 V ~ 1.65 V |
| 数据转换器： | A/D 40x12b |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 324-BBGA |
| 包装： | 托盘 |
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Electrical Characteristics
MPC5510 Microcontroller Family Data Sheet, Rev. 3
Freescale Semiconductor
43
2.13.5
External Bus Interface (EBI)
Figure 14. CLKOUT Timing
Table 23. External Bus Operation Timing1
1 EBI timing specified at VDDE = 3.0V to 5.5V, T
A = TL to TH, and CL = 50pF with SIU_PCRn[SRC] = 0b11.
Num
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
1
CLKOUT Period2
2 Initialize SIU_ECCR[EBDF] to meet maximum external bus frequency.
TC
40.0
—
ns
2
CLKOUT duty cycle
tCDC
45%
55%
TC
3
CLKOUT rise time
tCRT
——3
3 Refer to Medium High Voltage (MH) pad AC specification in Table 18.
ns
4
CLKOUT fall time
tCFT
ns
5
CLKOUT Positive Edge to Output Signal Invalid or High Z (Hold Time)
tCOH
2.0
—
ns
6
CLKOUT Positive Edge to Output Signal Valid (Output Delay)
tCOV
—
10.0
ns
7
Input Signal Valid to CLKOUT Posedge (Setup Time)
tCIS
20.0
—
ns
8
CLKOUT Posedge to Input Signal Invalid (Hold Time)
tCIH
0—
ns
9
ALE Pulse Width High Time
tALEPWH
20
—
ns
10
ALE Fall to AD Invalid
tALEAD
2—
ns
1
2
3
4
CLKOUT
VDDE/2
Vol_f
Voh_f
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SPC5553MVR132 | 功能描述:MCU POWERPC 132MHZ 416-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:MPC55xx Qorivva 标准包装:330 系列:- 核心处理器:- 芯体尺寸:8/16-位 速度:40MHz 连通性:UART/USART 外围设备:DMA，PWM，WDT 输入/输出数:32 程序存储器容量:- 程序存储器类型:外部程序存储器 EEPROM 大小:- RAM 容量:- 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 数据转换器:- 振荡器型:内部 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-BQFP 包装:管件 |
| SPC5553MVR80 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MOCCASIN 416 - LEADFREE - Trays |
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