型号: | SPD0901SMSS |
厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
封装: | SMS, 2 PIN |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 150K |
代理商: | SPD0901SMSS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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SPD1002S | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
SS10P3C-G3/86A | 5 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
SDR1-12SMSTXV | 1 A, 1200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
SPD5711ASMSTX | 0.033 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
SZ5118TXV | 180 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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SPD0902 | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:2 AMP 80 - 100 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER |
SPD0902SMS | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:2 AMP 80 - 100 VOLTS SCHOTTKY RECTIFIER |
SPD09N05 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS PowerTransistor |
SPD09P06PL | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
SPD09P06PL G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET DISCRETE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |