| 型号: | SPD0902SMSTX |
| 厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类: | 整流器 |
| 英文描述: | 2 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装: | HERMETIC SEALED, SMS, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 152K |
| 代理商: | SPD0902SMSTX |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD10192RS | 35 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| SPD10192R | 35 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| SPD10195S | 35 A, 1100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| SPD10197TXV | 35 A, 1300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| SPD10196RTXV | 35 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD09N05 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS PowerTransistor |
| SPD09P06PL | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPD09P06PL G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET DISCRETE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPD09P06PL_08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power-Transistor Feature N-Channel Enhancement mode |
| SPD09P06PLG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3 |