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参数资料
| 型号： | SPD1560A |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257 |
| 封装： | TO-257, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | SPD1560A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SA130C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SA160C | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SA120A | 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SA120CA | 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SMBJ170CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD15N06S2L64 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SPD15N06S2L-64 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SPD15N06S2L64NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| SPD15N06S2L64T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
| SPD15P10P G | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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