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参数资料
| 型号： | SPD220SM |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | SPD220SM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD205SM | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD2520SMS | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD2520S | 0.5 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SPD2530S | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| SPD2530TXV | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD220SMS | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:2.0 AMPS 50 - 300 VOLTS 25 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
| SPD-221 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:C to Ku Band Mixer, Detector, Modulator Applications |
| SPD22N08S2L-50 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 25A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SPD230 | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:25 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
| SPD230SMS | 制造商:SSDI 制造商全称:Solid States Devices, Inc 功能描述:2.0 AMPS 50 - 300 VOLTS 25 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER |
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