- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录40373 > SPD2540A (SOLID STATE DEVICES INC) 0.25 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SPD2540A |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.25 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 254K |
| 代理商： | SPD2540A |
C
A
D
B
C
SOLID STATE DEVICES, INC.
CASE OUTLINE:
Electrical Characteristics
Symbol
Units
Max
DIMENSIONS
DIM
MIN.
MAX.
A
0.160"
B
0.075"
C
1.00"
D
0.018"
0.022"
NOTE:
Lead Diameter is not controlled within 0.050" of the diode body.
SPD2520 & A
Through
SPD2540 & A
14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
Standard Series
Max
"A" Series
mA
Reverse Leakage Current
(Rated VR , TA = 100
oC, 300
s minimum Pulse)
.2
IR
pF
5
CJ
Junction Capacitance
(VR = 10VDC, TA = 25
oC, f = 1 MHz)
Reverse Leakage Current
(Rated VR , TA = 25
oC, 300
s minimum Pulse)
IR
A
VF
.65
1.0
Instantaneous Forward Voltage Drop
(TA = 25
oC, 300 - 500
s Pulse)
VDC
2
VF
.70
1.1
Instantaneous Forward Voltage Drop
(TA = -55
oC, 300 - 500
s Pulse)
VDC
IF = 100mADC
IF = 250mADC
IF = 100mADC
IF = 250mADC
1
10
.48
.62
10
.52
.65
0.085"
0.050"
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD2520A | 0.25 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD3155 | 40 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD3164 | 8 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD3155A | 40 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD3156A | 70 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD25D28-15 | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module |
| SPD25D28-20 | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module |
| SPD25D28-25 | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module |
| SPD25N06S2-40 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SPD26N06S2L-35 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。