| 型号: | SPD2540S |
| 厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述: | 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
| 封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 2/2页 |
| 文件大小: | 159K |
| 代理商: | SPD2540S |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD2540SMSTXV | 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD2530SMSTX | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD3051 | 15 A, 550 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD31015 | 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SPD33008X2A | 8 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD25D28-15 | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module |
| SPD25D28-20 | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module |
| SPD25D28-25 | 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module |
| SPD25N06S2-40 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SPD26N06S2L-35 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |