参数资料
型号: SPD2540S
厂商: SOLID STATE DEVICES INC
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
封装: HERMETIC SEALED PACKAGE-2
文件页数: 2/2页
文件大小: 159K
代理商: SPD2540S
Solid State Devices, Inc.
14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
SPD2520
thru
SPD2540
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Max
Unit
Instantaneous Forward Voltage Drop
(IF = 1ADC, TA = 25
°C, 300-500 μs Pulse)
IF = 100mADC
IF = 500mADC
VF1
VF2
0.5
0.75
Volts
Reverse Leakage Current
(Rated VR, TA = 25
°C, 300 μs minimum Pulse)
IR1
5
A
Reverse Leakage Current
(Rated VR, TA = 100
°C, 300 μs minimum Pulse)
IR2
1
mA
Junction Capacitance
(VR = 10 VDC, TA = 25
°C, f = 1 MHz)
CJ
10
pF
DIMENSIONS
CODE
MIN.
MAX.
A
.060”
.080”
B
.140”
.160”
C
1.00”
---
AXIAL CASE OUTLINE: (DO-35)
Note: Lead diameter is not controlled within 0.050” of the diode body.
D
.018”
.022”
DIMENSIONS
CODE
MIN.
MAX.
A
.092”
.098”
B
.190”
.215”
C
.022”
.028”
SMS CASE OUTLINE:
Note: Dimensions prior to solder dipping.
D
.002”
---
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: RS0109E
DOC
相关PDF资料
PDF描述
SPD2540SMSTXV 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SPD2530SMSTX 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SPD3051 15 A, 550 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SPD31015 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SPD33008X2A 8 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SPD25D28-15 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module
SPD25D28-20 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module
SPD25D28-25 制造商:SENSITRON 制造商全称:Sensitron 功能描述:DC Solid State Power Controller Module
SPD25N06S2-40 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD26N06S2L-35 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件