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参数资料
| 型号： | SPD3035C |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | TO-258, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | SPD3035C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ST6080D | 20 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-3 |
| SZ3C91 | 91 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB |
| SGL1-90 | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SBD4004 | 40 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SDR1008UF | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD30N03 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03L | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Power Transistor |
| SPD30N03S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPD30N03S2L-07 G | 功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPD30N03S2L-07_08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
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