| 型号: | SPD506TXV |
| 厂商: | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类: | 整流器 |
| 英文描述: | 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件页数: | 2/2页 |
| 文件大小: | 40K |
| 代理商: | SPD506TXV |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPD5614SMTXV | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD5616TX | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD5618SMSTX | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD5618S | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SPD5620SMSTX | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPD50N03S2-07 | 功能描述:MOSFET TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPD50N03S2-07 G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET DISCRETE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SPD50N03S2-07_08 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
| SPD50N03S2-07G | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated |
| SPD50N03S207GBTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 |