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参数资料
型号： SPJ-63SVR
厂商： SANKEN ELECTRIC CO LTD
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
文件页数： 1/2页
文件大小： 45K
代理商： SPJ-63SVR
SPB-64S
SPJ-63S
10
20
50
40
30
0
1
5
50
10
20ms
IFSM
(A)
Parameter
Type No.
Absolute Maximum Ratings
VRM
(V)
IF (AV)
(A)
IFSM
(A)
VF
(V)
IF
(A)
IF
/IRP
(mA)
Rth ( j-c)
IR
(mA)
IR (H)
(mA)
trr
(ns)
Tj
(
°C)
Tstg
(
°C)
Electrical Characteristics (Ta =25
°C)
(
°C/W)
(g)
Mass
Remarks
Center-tap
1 Chip
Others
SPB-64S
6.0
40
30
60
3.0
5.0
50
60
100
60
0.55
0.7
0.6
3.0
3.5
5.0
0.75
50
100/100
0.45
3.0
30
(Tj =125
°C)
——
–40 to +150
5.0
0.29
1.04
0.29
SPB-G34S
SPB-G54S
6.0
15.0
5.0
7.5
5.0
3.0
50
100/100
50
(Tj =150
°C)
2.5
——
SPB-G56S
A
B
10
20
50
40
30
0
1
5
50
10
20ms
IFSM
(A)
10
20
50
40
30
0
1
5
50
10
20ms
IFSM
(A)
SPB-G34S
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
100
10
1
0.1
0.01
0.001
010
30
50
60
20
40
SPJ-63S
6.0
MPE-24H
80
70
90
100
110
120
130
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
VR=40V
100
95
105
110
115
120
125
0
1.0
0.5
2.0
1.5
2.5
3.0
VR=40V
D.C.
t / T 1/6
=
t / T 1/ 3
=
t / T 1/2
=
Sinewave
D.C.
t / T 1/6
=
t / T 1/ 3
=
t / T 1/2
=
Ta 125C
=
60C
100C
27C
100C
Ta 125C
=
60C
27C
30
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ta 125C
=
60C
100C
28C
100
10
1
0.1
0.01
0.005
010
30
50
60
20
40
100C
Ta 125C
=
60C
28C
6.5±0.4
2.3±
0.4
5.4
4.9
4.1
5.4±
0.4
1.7
±0.5
5.5
±0.4
2.5
±0.4
0.8
±0.1
0.8
1.5 max
±0.1
0.55 ±
0.1
0.55 ±
0.1
1.15
12
3
±0.1
1.2max
2.29±
0.5 2.29±0.5
0 to 0.25
0.5
±0.2
2.9
0.16
1.37
5.0
0.7
VR=VRM, Ta=100
°C
max per element
VR =VRM
max per element
86
1.2
1.27
10.2
0.86
0.76
2.54
4.44
1.3
2.59
0.4
3.19
1.3
8.5
10.0
11.3
11.0
1.4
Schottky Barrier Diodes (Power Surface Mount) 30V, 40V, 60V
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
max per
element
Fig.
Forward Voltage VF (V)
Forward
Current
I
F
(A)
VF—IF Characteristics (Typical)
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
Peak
For
ward
Surge
Current
I
FSM
(A)
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
Peak
For
ward
Surge
Current
I
FSM
(A)
Reverse Voltage
VR (V)
Reverse
Current
I
R
(mA)
VR—IR Characteristics (Typical)
Case Temperature Tc
(
°C)
Average
Forward
Current
I
F
(AV)
(A)
Tc —IF(AV) Derating
Forward Voltage VF (V)
Forward
Current
I
F
(A)
VF—IF Characteristics (Typical)
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
Peak
For
ward
Surge
Current
I
FSM
(A)
Reverse Voltage
VR (V)
Reverse
Current
I
R
(mA)
VR—IR Characteristics (Typical)
Case Temperature Tc
(
°C)
Average
Forward
Current
I
F
(AV)
(A)
Tc —IF(AV) Derating
Sinewave
External Dimensions
(Unit: mm)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
A
Fig.
B
Fig.
Type No.
Polarity
Lot No.
13
2 (Common to backside of case)
N.C
1 Chip
Anode
Cathode
Anode
Center-tap
Anode
Cathode (Common)
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SPJ-6B450 功能描述:FUSE MOD 450A 1000V BLADE RoHS:是 类别:过电压，电流，温度装置 >> 保险丝 - 电气，特制 系列:Semitron™ SPJ 标准包装:3 系列:NH 保险丝类型:- 电压 - 额定:690VAC 电流:355A 封装/外壳:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安装类型:支座 颜色:- 工作温度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
SPJ-6B500 功能描述:FUSE MOD 500A 1000V BLADE RoHS:是 类别:过电压，电流，温度装置 >> 保险丝 - 电气，特制 系列:Semitron™ SPJ 标准包装:3 系列:NH 保险丝类型:- 电压 - 额定:690VAC 电流:355A 封装/外壳:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安装类型:支座 颜色:- 工作温度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
SPJ-6B700 功能描述:保险丝 700A 1000V 2FU/115 RoHS:否 制造商:Littelfuse 产品:Surface Mount Fuses 电流额定值:0.5 A 电压额定值:600 V 保险丝类型:Fast Acting 保险丝大小/组:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安装风格: 端接类型:SMD/SMT 系列:485
SPJ-6E300 功能描述:FUSE MOD 300A 1000V BLADE RoHS:是 类别:过电压，电流，温度装置 >> 保险丝 - 电气，特制 系列:Semitron™ SPJ 标准包装:3 系列:NH 保险丝类型:- 电压 - 额定:690VAC 电流:355A 封装/外壳:矩形，插片 尺寸/尺寸:5.906" L x 2.835" W x 3.071" H（150.00mm x 72.00mm x 78.00mm） 安装类型:支座 颜色:- 工作温度:- DC 抗冷流:- 熔化 I²t:-
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