- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录66248 > SPLBS81-6 804 nm, LASER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SPLBS81-6 |
| 元件分类： | 激光器 |
| 英文描述： | 804 nm, LASER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 185K |
| 代理商： | SPLBS81-6 |
SPL BS81-6
2007-04-20
3
1)
Alle Kenn- und Grenzwerte beziehen sich auf Pulsmessungen (1
μs Pulsbreite bei 4 kHz Wiederholfrequenz) an
unmontierten Barren. Die Erzielung der spezifizierten Werte im CW – Modus (Dauerstrichbetrieb) setzt eine
geeignete Montagetechnik mit einem thermischen Widerstand von
R
th<
0.5 K/W voraus. Die zentrale
Emissionswellenlnge im Betrieb ist abhngig vom Betriebsmodus: CW – Betrieb (Dauerstrichbetrieb) oder
Impuls, Betriebstemperatur, thermischer Widerstand
R
th und ist in aller Regel hher als die spezifizierte
Impulswellenlnge
λ
pulse (1 μs Pulsbreite bei 4 kHz Wiederholfrequenz). Alle Parameter knnen im jeweiligen
Betriebsmodus von den spezifizierten Kennwerten abweichen.
All characteristics and limitations refer to pulsed measurements (1
μs pulse width at 4 kHz repetition rate) on
unmounted laser bars. All specified values in CW - Mode (continuous wave) implies a suitable mounting technology
with a thermal resistance of
R
th< 0.5 K/W. The operating peak emission wavelength depends on the operating
mode: CW or pulsed, ambient temperature and thermal resistance
R
th. The operating peak emission wavelength in
general is higher than the specified pulsed peak wavelength
λ
pulse (1 μs pulse width at 4 kHz repetition rate). All
characteristics obtained in the operating mode may differ from the characteristics specified herein.
2)
Spezifiziert bei der typischen optischen Ausgangsleistung Pop, typ
Specified at the typical, optical output power Pop, typ
3)
Der spezifizierte Wert für den Konversionswirkungsgrad setzt eine homogene Strominjektion voraus
The specified typical efficiency is reached under conditions of homogeneous current injection
Dimensionen
Dimensions
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Emitteranzahl
Number of emitters
n
-
75
-
Kontaktbreite je Emitter
Single emitter contact width
w
-
110
-
μm
Emitterabstand
Emitter pitch
p
-
130
-
μm
Packungsdichte
Filling factor
F
-
82.5
-
%
Barrenbreite
Bar width
W
9.9
10
10.1
mm
Barrenhhe
Bar height
H
105
115
125
μm
Resonatorlnge
Resonator length
L
590
600
610
μm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPLBX98-2S | 972 nm, LASER DIODE |
| SPLCG98-0 | 975 nm, LASER DIODE |
| SPLE10N81G2 | 808 nm, LASER DIODE |
| SPLE20N81G2 | 808 nm, LASER DIODE |
| SPLEB98-G | 975 nm, LASER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPLBS81-9S | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Un-mounted Laser Bars, 82.5% Fill-factor, 808 nm |
| SPLBS94 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Unmounted Laser Bars 20 W cw ... 100 W qcw |
| SPLBS94-2S | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Un-mounted Laser Bars, 82.5% Fill-factor, 940 nm |
| SPLBX81-2S | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Unmounted Laser Bars, 30% Fill-Factor, 808 nm |
| SPLBX94-2S | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Unmounted Laser Bars, 30% Fill-Factor, 940 nm |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。