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参数资料
| 型号： | SPLDL90_3 |
| 元件分类： | 激光器 |
| 英文描述： | 903 nm, LASER DIODE |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | SPLDL90_3 |
SPL DL90_3
2009-03-24
3
Mazeichnung
Chip Outlines
Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch)
Dimensions are specified as follows: mm (inch).
Wire Bonding Scheme
Schematic of Chip and Equivalent Circuit
OHF02453
0.115
p-contact
n-contact
OHF02454
0.6
V-grooves
Emitting area
OHF02455
0.175
0.13
Bond area
0.34
0.25
p-contact
Nanostack
TM
2
m
4
m
Circuit
OHF02478
n-contact
p-contact
Equivalent
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPLE01N94G2 | 940 nm, LASER DIODE |
| SPLMY98X2 | 975 nm, LASER DIODE |
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| SPLQN94 | 940 nm, LASER DIODE |
| SPLQY98 | 975 nm, LASER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPLE01N81G2 | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Aktiv gekulter Diodenlaser-Barren, 60 W cw bei 808 nm |
| SPLE01N94G2 | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Aktiv gekuhlter Diodenlaser-Barren, 60 W cw bei 940nm |
| SPLE01N98G2 | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Aktiv gekulter Diodenlaser-Barren, 60 W cw bei 975 nm |
| SPLE01Y81G2 | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Aktiv gekulter Diodenlaser-Barren, 60 W cw bei 808 nm |
| SPLE03N81G2 | 制造商:OSRAM 制造商全称:OSRAM 功能描述:Aktiv gekulter Diodenlaser-Barren, 180 W cw bei 808 nm |
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