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参数资料
| 型号： | SPLLL85 |
| 元件分类： | 光电元器件 |
| 英文描述： | SPECIALTY OPTOELECTRONIC DEVICE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 241K |
| 代理商： | SPLLL85 |
SPL LL85
2007-04-04
3
Optische Kennwerte (
T
A = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlnge
1)
Emission wavelength
1)
λ
840
850
860
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
1)
Spectral width (FWHM)
1)
Δλ
–
4
9
nm
Spitzenausgangsleistung
1)
Peak output power
1)
P
opt
12
14
18
W
Ladespannung an der Laserschwelle
Charge Voltage at laser threshold
U
C, th
1.2
1.5
2.0
V
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
1), 2)
Pulse width (FWHM)
1), 2)
t
p
25
28
31
ns
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
1), 2)
Rise and fall time (10% … 90%)
1), 2)
t
r,
t
f
7.0
26
9.5
29
12.0
32
ns
Austrittsffnung
Aperture size
w × h
–
200
× 2
–
μm2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-bergang
1)
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
1)
θ
||
12
15
18
Grad
deg.
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-bergang
1)
Beam divergence (FWHM) perpendicular to
pn-junction
1)
θ⊥
27
30
33
Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlnge
Temperature coefficient of wavelength
λ / T
–
0.25
0.32
nm/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
R
th
–
200
–
K/W
Einschaltpunkt der Gate-Spannung
Switch on gate voltage
V
G on
–
4.5
–
V
1)
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >40ns Trigger-Pulsbreite, 1kHz Pulswiederholrate, 6.7V
Ladespannung, 15V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec
EL7104C.
Values refer to the following standard operating conditions: >40ns trigger pulse width, 1kHz pulse repetition rate, 6.7V charge voltage,
15V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.
2)
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhngig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazitt (typ. 300pF) des internen
Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhlt man bei Trigger-Pulsbreiten <40ns. Dies bewirkt
jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung (siehe Diagramme auf Seite 5).
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300pF) of the internal transistor. Reduced
pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <40ns. This also reduces the optical peak power (see diagrams on page 5).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPLMN81-D | 808 nm, LASER DIODE |
| SPLMN81S9 | 808 nm, LASER DIODE |
| SPLMN81X2 | 808 nm, LASER DIODE |
| SPLMY81X2 | 808 nm, LASER DIODE |
| SPLPL85 | 850 nm, LASER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPLLL85-Z | 制造商:OSRAM 功能描述:LASER DIODE PULSED 850NM |
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| SPLLL90_3 | 制造商:OSRAM 功能描述:Hybrid Pulsed Laser Diode, 70 W, 905 nm |
| SPLM393 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Dual Differential Comparator |
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