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参数资料
| 型号： | SPLLL90_3 |
| 元件分类： | 激光器 |
| 英文描述： | 905 nm, LASER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | SPLLL90_3 |
SPL LL90_3
2009-03-04
3
Optische Kennwerte (
T
A = 25 °C)
Optical Characteristics
Parameter
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlnge
1)
Emission wavelength
1)
λ
895
905
915
nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)
1)
Spectral width (FWHM)
1)
Δλ
–
7–nm
Spitzenausgangsleistung
1)
Peak output power
1)
P
opt
60
70
80
W
Ladespannung an der Laserschwelle
Charge Voltage at laser threshold
U
C, th
4.0
4.5
5.0
V
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
1), 2)
Pulse width (FWHM)
1), 2)
t
p
37
40
43
ns
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
1), 2)
Rise and fall time (10% … 90%)
1), 2)
t
r,
t
f
7
40
10
45
13
50
ns
Jitter (bzgl. Triggersignal und optischem Puls)
Jitter (regarding trigger signal and optical pulse)
t
j
170
500
ps
Austrittsffnung
Aperture size
w × h
–200
× 10 –
μm2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum
pn-bergang
1)
Beam divergence (FWHM) parallel to pn junction
1)
θ
||
12
15
18
Grad
deg.
Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum
pn-bergang
1)
Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction
1)
θ⊥
27
30
33
Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlnge
Temperature coefficient of wavelength
λ / T
–0.30
0.33
nm/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance
R
th
–200
–
K/W
Einschaltpunkt der Gate-Spannung
Switch on gate voltage
V
G on
–5.0
–
V
1)
Werte beziehen sich auf folgende Standardbetriebsbedingung: >50 ns Pulsbreite, 1 kHz Pulswiederholrate, 18.5 V Ladespannung, 15
V Gate-Spannung und 25°C Umgebungstemperatur. Der Laser wird angesteuert mit dem MOSFET-Treiber Elantec EL7104C.
Values refer to the following standard operating conditions: >50 ns pulse width, 1 kHz pulse repetition rate, 18.5 V charge voltage, 15
V gate voltage and 25 °C ambient temperature. The laser is driven by the MOSFET driver Elantec EL7104C.
2)
Die Schaltgeschwindigkeit ist abhngig von Strom und Geschwindigkeit, mit der die Gate-Kapazitt (typ. 300 pF) des internen
Transistors geladen wird. Kürzere Pulsbreiten, Anstiegs- und Abfallzeiten erhlt man bei Trigger-Pulsbreiten <50 ns. Dies bewirkt
jedoch auch eine reduzierte optische Spitzenleistung.
Switching speed at gate depends on current and speed, charging the gate capacitance (typ. 300 pF) of the internal transistor. Reduced
pulse widths, rise and fall times occur at trigger pulse widths <50 ns. This also reduces the optical peak power.
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PDF描述 |
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| SPM6530T-R25M230 | 1 ELEMENT, 0.25 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| SPM6530T-1R0M120 | 1 ELEMENT, 1 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
| SPM6530T-2R2M | 1 ELEMENT, 2.2 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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