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参数资料
| 型号： | SPM0103A |
| 厂商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Low-Noise GaAs Amplifier(低噪声砷化镓放大器) |
| 中文描述： | 低噪声砷化镓放大器（低噪声砷化镓放大器） |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | SPM0103A |
Features
Low-voltage, low-current operation
Compact mini-mold package
No matching circuits needed for I/O
Low noise
Ideal for use as first stage for mobile communications
receiver amplifier
Package Dimensions
unit: mm
7272-CP5
GaAS MMIC
N3096HA(OT) No. 5563-1/2
SANYO: CP5
[SPM0103A]
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN
Low-Noise GaAs Amplifier MMIC
SPM0103A
Ordering number : EN5563
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Power supply voltage
V
DD
V
G
P
D
Topr
5
V
Gate voltage
–2
V
Allowable power dissipation
0.25
W
Operating temperature
V
DD
= 3 V, I
D
= 60 mA or less
–30 to +90
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Junction temperature
Tj
150
°C
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Drain current t
I
D
NF
V
DD
= 3 V, V
G
= 0
V
DD
= 3 V, I
D
= 25 mA, f = 1.9 GHz
V
DD
= 3 V, I
D
= 25 mA, f = 1.9 GHz
V
DD
= 3 V, I
D
= 25 mA, f = 1.9 GHz
V
DD
= 3 V, I
D
= 25 mA, f = 1.9 GHz
50
70
95
mA
Noise figure
1.1
1.5
dB
Linear gain
G
L
12
dB
VSWR (input)
2.1
VSWR (output)
2.1
Electrical Characteristics
at Ta = 25°C
Individual component name indication: MJ
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