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参数资料
| 型号： | SPN02N60S5 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Small-Signal-Transistor(Cool MOS 小信号晶体管) |
| 中文描述： | 酷马鞍山小信号晶体管（酷马鞍山小信号晶体管） |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | SPN02N60S5 |
1999-10-11
1
SPN02N60S5
Preliminary data
Cool MOS
Small-Signal-Transistor
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
Extreme dvdt rated
Optimized capacitances
Improved noise immunity
G,1
D,2/4
S,3
VPS05163
1
2
3
4
C
O L
MOS
Type
SPN02N60S5 600 V
V
DS
I
D
0.4 A
R
DS(on)
3
Package
SOT-223
Marking
02N60S5
Ordering Code
Q67040-S4207
Maximum Ratings
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Pulsed drain current,
t
p
= 1ms
1)
T
A
= 25 °C
Reverse diode dvdt
I
S
= 0.4 A,
V
DS
<
V
DSS
,
didt
= 100 A/μs,
T
jmax
= 150 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
A
= 25 °C
Operating and storage temperature
Symbol
I
D
Value
0.4
0.3
2.2
Unit
A
I
D puls
dvdt
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±
20
1.8
V
W
T
j ,
T
stg
-55... +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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