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参数资料
| 型号： | SPP100N08S2-07 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | SPP100N08S2-07 |
2003-05-09
Page 7
SPP100N08S2-07
SPB100N08S2-07
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
850
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 100 A pulsed
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
nC
210
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP100N08S2-07
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
V
92
SPP100N08S2-07
V
(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB100N08S2L-07 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPB11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
| SPBI11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
| SPI11N60C3 | Cool MOS Power Transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPP100N08S207NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SPP100N08S2L-07 | 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SPP100N08S2L07NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SPP1013 | 制造商:SYNC-POWER 制造商全称:SYNC-POWER 功能描述:P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SPP1013_10 | 制造商:SYNC-POWER 制造商全称:SYNC-POWER 功能描述:P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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