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参数资料
| 型号： | spp11n60 |
| 厂商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶体管) |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管（马鞍山型功率晶体管） |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | SPP11N60 |
5
2000-01-27
SPP11N60S5
SPB11N60S5
Typ. output characteristic
I
D
= f (V
DS
)
Parameter: V
GS
, T
j
= 25 °C
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
A
35
D
6V
7V
8V
9V
10V
12V
20V
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 7 A,
V
GS
= 10 V
SPP11N60S5
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
W
2.1
R
D
typ
98%
Typ. capacitances
C= f (V
DS
)
parameter: V
GS
=0 V, f=1 MHz
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
100
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
iss
C
oss
C
rss
Typ. transfer characteristics
I
D
= f( V
GS
)
V
DS
3
2 x I
D
x R
DS(on)max
0
4
8
12
V
GS
20
V
0
4
8
12
16
20
24
A
32
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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