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参数资料
| 型号： | SPP80N06S2L-09 |
| 厂商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS功率晶体管 |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 415K |
| 代理商： | SPP80N06S2L-09 |
2003-05-09
Page 1
SPI80N06S2L-05
SPP80N06S2L-05,SPB80N06S2L-05
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
55
V
m
A
4.5
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
P- TO220 -3-1
Marking
2N06L05
2N06L05
2N06L05
Type
SPP80N06S2L-05
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4246
SPB80N06S2L-05
SPI80N06S2L-05
P- TO263 -3-2
P- TO262 -3-1
Q67040-S4256
Q67060-S7422
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
I
D
Value
80
80
Unit
A
T
C
=25°C
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
800
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
I
S
=80A,
V
DS
=44V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPP80N06S2L-11 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPP80N06S2L-H5 | OptiMOS Power-Transistor |
| SPL081A | Low Voltage 7KB LCD Controller |
| SPL10A | 7.5KB LCD CONTROLLER/DRIVER |
| SPL10A1 | 7.5KB LCD CONTROLLER/DRIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SPP80N06S2L09NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SPP80N06S2L11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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| SPP80N06S2L11NK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| SPP80N06S2L-H5 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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