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参数资料
| 型号： | SR70.TG |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | SR70.TG |
3
2003 Semtech Corp.
www.semtech.com
PROTECTION PRODUCTS
SR70
Typical Characteristics
Non-Repetitive Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Power Derating Curve
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature - TA (
oC)
%
of
Ra
te
d
P
o
w
er
or
IPP
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
5
10
15
20
25
30
Time (
s)
Per
cen
to
fI
PP
e
-t
td = IPP/2
Waveform
Parameters:
tr = 8s
td = 20s
Pulse Waveform
Forward Voltage vs. Forward Current
Capacitance vs. Reverse Voltage
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Forward Current - IF (A)
F
o
rwar
d
Vo
lt
ag
e
-
V
F(V)
Waveform
Parameters:
tr = 8s
td = 20s
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
01
234
5
6
Reverse Voltage - VR (V)
%
Cha
n
ge
in
Ca
p
ac
it
a
nc
e
I/O to GND
f = 1MHz
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
Pulse Duration - tp (s)
Pe
ak
Pu
ls
ePo
wer
-
P
Pk
(kW
)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SR70 | UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| SR802 | 8 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SR803 | 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SR804 | 8 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SR806 | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SR70-TP | 功能描述:ESD 抑制器 70V, 5.0uA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| SR710RZT6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ARM7 - Bulk |
| SR711 | 制造商:EDSYN 功能描述: |
| SR714 | 制造商:EDSYN 功能描述: |
| SR7-14-PTD | 制造商:LMB / Heeger 功能描述: |
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