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参数资料
| 型号： | SRP100A/1 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 22K |
| 代理商： | SRP100A/1 |
SRP100A thru SRP100K
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88743
2
12-Feb-02
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0.1
1
10
100
1
10
100
Ambient Temperature (
°C)
Fig. 1 – Forward Current
Derating Curves
A
verage
Forward
Rectified
Current
(A)
Fig. 3 – Typical Instantaneous
Forward Characteristics
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneous
Forward
Current
(A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneous
Reverse
Current
(
A)
Fig. 4 – Typical Reverse
Characteristics
Fig. 5 – Typical Junction Capacitance
Number of Cycles at 60 HZ
Reverse Voltage (V)
Fig. 2 – Maximum Non-Repetitive Peak
Forward Surge Current
Forward
Surge
Current
(A)
pk
(Half
Sine-W
ave)
Junction
Capacitance,
pF
Fig. 6 – Typical Transient
Thermal Impedance
t, Pulse Duration (sec.)
T
ypical
Thermal
Impedance,
°CW
TJ = 25°C
f = 1.0MHZ
Vsig = 50mVp-p
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
0.375" (9.5mm)
Lead Length
Capacitive Load
5.0
10
20
I(pk)
I(AV)
=
π
=
I(pk)
I(AV)
1
10
100
5.0
10
15
20
25
30
TA = 75°C
8.3ms Single Half Sine-Wave
0.4
0.6
1.0
1.2
1.4
1.6
2.0
0.01
0.1
1
10
20
1.8
0.8
Pulse Width = 300
s
1% Duty Cycle
TJ = 25
°C
20
60
80
100
0.01
1
10
100
0
40
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1.0 Cycle
TJ = 100
°C
TJ = 25
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SRP100B-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 1.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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