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参数资料
| 型号： | SRP100D-E3/73 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | SRP100D-E3/73 |
www.vishay.com
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Document Number: 88743
2
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Revision: 27-Oct-09
SRP100A thru SRP100K
Vishay General Semiconductor
Note
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curves
Fig. 2 - Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
SRP100A SRP100B SRP100D SRP100G SRP100J
SRP100K UNIT
Maximum
instantaneous
forward voltage
1.0 A
VF
1.3
V
Maximum DC reverse
current at rated DC
blocking voltage
TA = 25 °C
IR
10
μA
TA = 100 °C
200
Maximum reverse
recovery time
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
100
200
ns
Typical junction
capacitance
4.0 V, 1 MHz
CJ
12
pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
SRP100A SRP100B SRP100D SRP100G SRP100J
SRP100K UNIT
Typical thermal resistance
RθJA
(1)
41
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PREFERRED PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
SRP100J-E3/54
0.33
54
5500
13" diameter paper tape and reel
SRP100J-E3/73
0.33
73
3000
Ammo pack packaging
Ambient Temperature (°C)
Average
Forward
Rectified
Current
(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
Capacitive
Loads
5.0
10
20
=
I
pk
I
AV
=
π
I
pk
I
AV
0.375" (9.5 mm)
Lead Length
Forward
S
urge
Current
(A)
pk
(Half
S
ine-Wave)
1
10
100
5
10
15
20
25
30
Number of Cycles at 60 Hz
1.0 Cycle
T
A = 55 °C
8.3 ms Single Half Sine-Wave
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRP100G-E3/73 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| SRP600A | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRS615HEU | 6 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SS0225CS3 | 2 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SS0503SH | 0.5 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SRP100G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER |
| SRP100G-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 400 Volt 1.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP100G-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 400 Volt 1.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP100J | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER |
| SRP100J-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600 Volt 1.0A 200ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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