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参数资料
| 型号： | SRP100DE3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | SRP100DE3 |
www.vishay.com
2
Document Number 88743
28-Apr-05
SRP100A thru SRP100K
Vishay Semiconductors
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Note: (1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
SRP
100A
SRP
100B
SRP
100D
SRP
100G
SRP
100J
SRP
100K
Unit
Maximum instantaneous
forward voltage
at 1.0 A
VF
1.3
V
Maximum DC reverse
current at rated DC
blocking voltage
TA = 25 °C
TA = 100 °C
IR
10
200
A
Maximum reverse
recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
100
200
ns
Typical junction
capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
12
pF
Parameter
Symbol
SRP
100A
SRP
100B
SRP
100D
SRP
100G
SRP
100J
SRP
100K
Unit
Typical thermal resistance (1)
RθJA
41
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curves
Ambient Temperature ( °C)
A
verage
Forward
Rectified
Current
(A)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
0.375" (9.5mm)
Lead Length
Capacitive Load
5.0
10
20
I(pk)
I(AV)
=
π
=
I(pk)
I(AV)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Number of Cycles at 60 HZ
Forward
Surge
Current
(A)
pk
(Half
Sine-W
ave)
1
10
100
5.0
10
15
20
25
30
TA =75 °C
8.3ms Single Half Sine-Wave
1.0 Cycle
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRP100AE3 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| SRP300D-E3/54 | 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SRP300G-E3/54 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SRP300K-E3/54 | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SRP300J-E3/54 | 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SRP100D-E3/73 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200 Volt 1.0A 100ns 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP100G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER |
| SRP100G-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 400 Volt 1.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP100G-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 400 Volt 1.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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