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参数资料
| 型号： | SRP600AE3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | SRP600AE3 |
SRP600A thru SRP600K
Document Number 88745
28-Apr-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
Case Style P600
Fast Switching Fast Rectifier
Major Ratings and Characteristics
IF(AV)
6.0 A
VRRM
50 V to 800 V
IFSM
300 A
trr
100 ns, 150 ns, 200 ns
VF
1.3 V
IR
10 A
Tj max.
150 °C
Features
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
Low leakage current
High forward current operation
High forward surge capability
Typical Applications
For use in fast switching rectification of power supply,
inverters, converters and freewheeling diodes for
consumer and Telecommunication.
(Note: These devices are not Q101 qualified. There-
fore, the devices specified in this datasheet have not
been designed for use in automotive or Hi-Rel appli-
cations.)
Mechanical Data
Case: P600, void-free molded plastic body
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating
Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-
able per J-STD-002B and MIL-STD-750, Method
2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Maximum Ratings
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
SRP
600A
SRP
600B
SRP
600D
SRP
600G
SRP
600J
SRP
600K
Unit
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
50
100
200
400
600
800
V
Maximum RMS voltage
VRMS
35
70
140
280
420
560
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
50
100
200
400
600
800
V
Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)
lead length at TA = 55 °C
IF(AV)
6.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
300
A
Operating junction temperature range
TJ
- 50 to + 125
°C
Storage temperature range
TSTG
- 50 to + 150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SRP600DE3 | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRP600GE3 | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRP600KE3 | 6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRP600D-E3/54 | 6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SRP600J-E3/73 | 6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SRP600A-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 50 Volt 6.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP600A-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 50 Volt 6.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP600B | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Switching Plastic Rectifier |
| SRP600B-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 6.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| SRP600B-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 100 Volt 6.0A 100ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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