型号: | SRP600G-E3/54 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 6 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 70K |
代理商: | SRP600G-E3/54 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
SM15T18CA-HE3/9AT | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
SM6T15A-HE3/52 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SM6T200A-HE3/5B | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SM6T30CA-E3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
SM6T68CA-HE3/52 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
SRP600J | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER |
SRP600J/4 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode Switching 600V 6A 2-Pin Case P600 T/R |
SRP600J-E3/23 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 6.0A 200ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
SRP600J-E3/51 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 6.0A 200ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
SRP600J-E3/54 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600 Volt 6.0A 200ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |