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参数资料
| 型号： | SS10P4C-M3/86A |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 92K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | eSMP™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 530mV @ 5A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 550µA @ 40V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 5A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 40V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-277，3-PowerDFN |
| 供应商设备封装： | TO-277A |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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2
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Revision: 10-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT AR
E SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
SS10P3C, SS10P4C
Vishay General Semiconductor
New Product
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width ?
40 ms
Note
(1) Units mounted on recommended PCB 1 oz. pad layout
Note
(1)
Automotive grade
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS SYMBOL TYP. MAX. UNIT
Instantaneous forward voltage
per diode
IF
= 2.5 A
TA
= 25 °C
= 5.0 A 0.45 0.53
VF
(1)
0.40 -
V
IF
IF
= 2.5 A
TA
= 125 °C
= 5.0 A 0.37 0.44
0.29 -
IF
Reverse current per diode Rated VR
TA
= 25 °C
IR
(2)
= 125 °C 28 45 mA
56 550 μA
TA
Typical junction capacitance per diode 4.0 V, 1 MHz CJ
430 - pF
THERMAL CHARACTERISTICS (TA
= 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL SS10P3C SS10P4C
UNIT
Typical thermal resistance per diode
R?JA
(1)
60
°C/W
R?JL
3
ORDERING INFORMATION (Example)
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
SS10P4C-M3/86A 0.10 86A 1500
7" diameter plastic tape and reel
SS10P4C-M3/87A 0.10 87A 6500
13" diameter plastic tape and reel
SS10P4CHM3/86A (1)
0.10 86A 1500
7" diameter plastic tape and reel
SS10P4CHM3/87A (1)
0.10 87A 6500
13" diameter plastic tape and reel
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL6534CRZ-T | IC REG TRPL BCK/LINEAR 32-QFN |
| R1S-1212/HP | CONV DC/DC 1W 12VIN 12VOUT |
| ABC43DRYS | CONN EDGECARD 86POS .100 DIP SLD |
| SS10P3CL-M3/86A | DIODE SCHOTTKY 10A 30V SMPC |
| GCM08DRMN | CONN EDGECARD 16POS .156 WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SS10P4C-M3-87A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
| SS10P4-E3/86A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 40 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS10P4-E3/87A | 功能描述:肖特基二极管与整流器 10 Amp 40 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS10P4HE3/86A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
| SS10P4HE3/87A | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers |
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