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参数资料
| 型号： | SS15-E3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 337K |
| 代理商： | SS15-E3 |
Vishay General Semiconductor
SS12 thru SS16
Document Number 88746
20-Feb-06
www.vishay.com
1
DO-214AC (SMA)
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Guardring for overvoltage protection
Low power losses, high efficiency
Low forward voltage drop
High surge capability
Meets MSL level 1, per J-STD-020C
Solder Dip 260 °C, 40 seconds
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage, high frequency inverters, free-
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection
applications.
MECHANICAL DATA
Case: DO-214AC (SMA)
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002B and JESD22-B102D
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high
reliability grade (AEC Q101 qualified)
Polarity: Color band denotes the cathode end
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS
IF(AV)
1.0 A
VRRM
20 V to 60 V
IFSM
40 A
VF
0.50 V, 0.70 V
Tj max.
125 °C, 150 °C
Note:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
UNIT
Device marking code
S2
S3
S4
S5
S6
V
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
20
30
40
50
60
V
Maximum RMS voltage
VRMS
14
21
28
35
42
V
Maximum DC blocking voltage
VDC
20
30
40
50
60
V
Maximum average forward rectified current at TL (see Fig. 1)
IF(AV)
1.0
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
IFSM
40
A
Voltage rate of change (rated VR)
dv/dt
10000
V/s
Operating junction temperature range
TJ
- 65 to + 125
- 65 to + 150
°C
Storage temperature range
TSTG
- 65 to + 150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
SYMBOL
SS12
SS13
SS14
SS15
SS16
UNIT
Maximum instantaneous forward
voltage
at 1.0 A (1)
VF
0.50
0.75
V
Maximum DC reverse current at rated
DC blocking voltage (1)
TA = 25 °C
IR
0.2
mA
TA = 100 °C
6.0
5.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS23-LT | 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
| SS25-LT | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
| SS26-LT | 2 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC |
| SS24 | 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
| SS24 | 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SS15-E3/11T | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Diode Schottky 50V 1A 2-Pin SMA T/R |
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| SS15-E3/5AT | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS15-E3/61T | 功能描述:肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 50 Volt RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SS15E-TP | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 50V 1A SMAE RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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