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参数资料
| 型号： | SS1H10/11T |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| 封装： | PLASTIC, SMA, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 351K |
| 代理商： | SS1H10/11T |
www.vishay.com
2
Document Number 88747
21-Oct-05
SS1H9 & SS1H10
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified#
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) P.C.B. mounted with 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pad areas
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
SS1H9
SS1H10
Unit
Maximum instantaneous forward
voltage at: (1)
IF = 1.0 A,
IF = 2.0 A,
TJ = 25 C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
VF
0.77
0.62
0.86
0.70
V
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage(1)
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
IR
1.0
0.5
A
mA
Parameter
Symbol
SS1H9
SS1H10
Unit
Maximum thermal resistance(1)
RθJA
RθJL
88
30
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Tl - Lead Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(
A)
25
50
75
100
125
150
175
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
0
10
20
30
40
50
60
1
10
100
Number of Cycles at 60 Hz
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(
A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS1H9-HE3 | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SS1H10HE3/5AT | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SS1P6LHE3/84A | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| SS1P5LHE3/84A | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| SS20015M | 2 A, 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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